Description
Capacité : 512GB
Facteur de forme : M.2 2280
Mémoire Flash NAND ; 3D NAND
Contrôleur : RTS5766DL
Dimensions (L x l x H) : 80 x 22 x 3,13 mm / 3,15 x 0,87 x 0,13 pouce (avec dissipateur thermique)
80 x 22 x 2,15 mm / 3,15 x 0,87 x 0,09 pouce (sans dissipateur thermique)
Poids : 9 g / 0,32oz (avec dissipateur thermique)
6,2g / 0,22oz (sans dissipateur thermique)
Interface : PCIe Gen3 x4
Lecture séquentielle (Max) : Jusqu’à 2 400 Mo/s*
Écriture séquentielle (Max ) : Jusqu’à 1 800 Mo/s*
4 Ko Lecture aléatoire IOPS(Max) : Jusqu’à 200K*
4 Ko Écriture aléatoire IOPS(Max) : Jusqu’à 150K*
Température de fonctionnement : 0°C – 70°C
Température de stockage : -40°C – 85°C
Résistance aux chocs ; 1500G/0.5ms
MTBF : 1 500 000 heures
Téraoctets écrits (TBW) : 520 To**
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